| 硅基衬底Ba0.5Sr0.5TiO3厚膜制备的Sol-gel新方法 |
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| 引用本文： | 王喆垚,刘建设,任天令,刘理天,李志坚.硅基衬底Ba0.5Sr0.5TiO3厚膜制备的Sol-gel新方法[J].半导体学报,2002,23(8). |
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| 作者姓名： | 王喆垚 刘建设 任天令 刘理天 李志坚 |
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| 作者单位： | 清华大学,微电子学研究所,北京,100084 |
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| 基金项目： | 国家重点基础研究发展计划(973计划)，清华大学校科研和教改项目 |
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| 摘 要： | 介绍了一种改进的制备压电厚膜的sol-gel新方法,通过添加聚乙烯吡咯烷酮(poly vinyl pyrrolidone,PVP)来抑制厚膜中裂纹的产生.文中讨论了最大无裂纹膜厚与PVP摩尔比及热处理的关系,并给出了BST的SEM显微照片.
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| 关 键 词： | BST 厚膜 MEMS 溶胶-凝胶(sol-gel) |
A Modified Sol-Gel Coating Method for BST Thick Films on Silicon Substrates |
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