| 薄栅介质陷阱密度的求解和相关参数的提取 |
| |
| 引用本文： | 刘红侠,郝跃.薄栅介质陷阱密度的求解和相关参数的提取[J].半导体学报,2002,23(9). |
| |
| 作者姓名： | 刘红侠 郝跃 |
| |
| 作者单位： | 西安电子科技大学微电子研究所,西安,710071 |
| |
| 基金项目： | 国家高技术研究发展计划(863计划) |
| |
| 摘 要： | 采用恒定电流应力对薄栅氧化层MOS电容进行了TDDB评价实验,提出了精确测量和表征陷阱密度及累积失效率的方法.该方法根据电荷陷落的动态平衡方程,测量恒流应力下MOS电容的栅电压变化曲线和应力前后的高频C-V曲线变化求解陷阱密度.从实验中可以直接提取表征陷阱的动态参数.在此基础上,可以对器件的累积失效率进行精确的评估.
|
| 关 键 词： | 薄栅氧化膜 经时击穿 陷阱密度 累积失效率 |
Solving Process of Trap Density and Extracting of Correlative Parameters in Thin Gate Dielectric |
| |
| Abstract: | |
| |
| Keywords: | |
| 本文献已被 万方数据 等数据库收录！ |
| 点击此处可从《半导体学报》浏览原始摘要信息 |
|
点击此处可从《半导体学报》下载全文 |
|
