| Si(001)斜切衬底上Ge量子点的固相外延生长 |
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| 引用本文： | 胡冬枝,赵登涛,蒋伟荣,施斌,顾骁骁,张翔九,蒋最敏.Si(001)斜切衬底上Ge量子点的固相外延生长[J].半导体学报,2002,23(6). |
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| 作者姓名： | 胡冬枝 赵登涛 蒋伟荣 施斌 顾骁骁 张翔九 蒋最敏 |
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| 作者单位： | 复旦大学应用表面物理国家重点实验室,上海,200433 |
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| 摘 要： | 研究了Si(001)面偏110]方向6°斜切衬底上Ge量子点的固相外延生长.实验结果表明,在Si(001)6°斜切衬底上固相外延生长Ge量子点的最佳退火温度为640℃,在斜切衬底上成岛生长的临界厚度低于在Si(001)衬底成岛生长的临界厚度,6°斜切衬底上淀积0.7nm Ge即可成岛,少于Si(001)衬底片上Ge成岛所需的淀积量.从Ge量子点的密度随固相外延温度的变化曲线,得到Ge量子点的激活能为1.9eV,远高于Si(111)面上固相外延Ge量子点的激活能0.3eV.实验亦发现,在Si(001)斜切衬底上固相外延生长的Ge量子点较Si(001)衬底上形成的量子点的热稳定性要好.
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| 关 键 词： | 量子点 Ge 固相外延 |
Growth of Ge Quantum Dots on Vicinal Si(001) Substrate by Solid Phase Epitaxy |
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| Keywords: | |
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