| 单分散性硫族化合物半导体量子点的制备与表征 |
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| 引用本文： | 陈良,饶海波,占红明,陈伟.单分散性硫族化合物半导体量子点的制备与表征[J].材料导报,2005,19(Z2):71-73. |
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| 作者姓名： | 陈良 饶海波 占红明 陈伟 |
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| 作者单位： | 电子科技大学光电信息学院,成都,610054 |
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| 摘 要： | 硫族半导体化合物大多具有直接能带结构,是良好的光电功能材料,其量子点具有典型的量子效应.介绍了单分散量子点的无机成核/有机包裹的合成方法,通过尺寸选择性沉淀可以得到单分散的量子点;TEM、XRDUV-Vis吸收谱对硫族量子点的表征.
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| 关 键 词： | 制备与表征 量子点 硫族化合物半导体 单分散性 |
Synthesis and Characterization: Monodispersed Chalcogenide Semiconductor Quantum Dots |
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| CHEN Liang,RAO Haibo,ZHAN Hongming,CHEN Wei.Synthesis and Characterization: Monodispersed Chalcogenide Semiconductor Quantum Dots[J].Materials Review,2005,19(Z2):71-73. |
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| Authors: | CHEN Liang RAO Haibo ZHAN Hongming CHEN Wei |
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