| 共振隧穿二极管Ⅰ-Ⅴ特性的一致性测试与研究 |
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| 引用本文： | 毛海央,张文栋,熊继军,薛晨阳.共振隧穿二极管Ⅰ-Ⅴ特性的一致性测试与研究[J].仪器仪表学报,2006,27(Z2):1189-1191. |
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| 作者姓名： | 毛海央 张文栋 熊继军 薛晨阳 |
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| 作者单位： | 中北大学仪器科学与动态测试教育部重点实验室&电子测试技术国防重点实验室,太原,030051 |
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| 基金项目： | 国家自然科学基金资助项目(50405025,50375050) |
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| 摘 要： | 共振隧穿二极管(RTD)具有类似于硅的压阻特性.为了定量表达RTD的压阻特性,对其Ⅰ-Ⅴ特性一致性的研究显得十分必要.文中设计一个恒温、恒压实验测试系统,测试同一个RTD结构在不同时间的Ⅰ-Ⅴ特性.实验结果表明,RTD结构的电阻在不同时间的最大相对漂移量小于3%.随后测试仪器的测量误差,发现其中1%的相对漂移量由测试仪器造成.
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| 关 键 词： | 共振隧穿二极管 Ⅰ-Ⅴ特性 一致性 压阻特性 |
Measurement and research on I-V coherence of resonant tunneling diode |
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| Mao Haiyang,Zhang Wendong,Xiong Jijun,Xue Chenyang.Measurement and research on I-V coherence of resonant tunneling diode[J].Chinese Journal of Scientific Instrument,2006,27(Z2):1189-1191. |
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| Authors: | Mao Haiyang Zhang Wendong Xiong Jijun Xue Chenyang |
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