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一种单粒子效应加固输入接口电路的设计
引用本文:关晓明,方 健,赖荣兴,罗云钟.一种单粒子效应加固输入接口电路的设计[J].太赫兹科学与电子信息学报,2021,19(2):338-341.
作者姓名:关晓明  方 健  赖荣兴  罗云钟
作者单位:Electronic science and engineering college, University of Electronic Science and Technology of China,Chengdu Sichuan 610054,China
摘    要:提出一种新颖的单粒子效应加固输入接口电路,采用组合逻辑延迟后运算处理的方案。该电路基于华润上华600 V BCD 0.8 μm工艺进行电路设计和流片,并在中科院国家空间科学中心完成单粒子辐照测试。仿真测试结果表明,提出的输入接口电路可以有效免疫线性能量传递值(LET)在80 MeV·cm2/mg以下单粒子翻转(SEU)事件,特别是对多个节点同时发生单粒子翻转事件的情况,提出的电路抗单粒子翻转可靠性较高。

关 键 词:单粒子效应  单粒子翻转  双节点翻转  组合逻辑运算
收稿时间:2019/12/9 0:00:00
修稿时间:2020/1/8 0:00:00

Design of a single event effects hardened input interface circuit
GUAN Xiaoming,FANG Jian,LAI Rongxing,LUO Yunzhong.Design of a single event effects hardened input interface circuit[J].Journal of Terahertz Science and Electronic Information Technology,2021,19(2):338-341.
Authors:GUAN Xiaoming  FANG Jian  LAI Rongxing  LUO Yunzhong
Abstract:
Keywords:
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