a—SiGex:H薄膜准分子激光晶化的研究 |
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引用本文: | 吴春亚,张建军.a—SiGex:H薄膜准分子激光晶化的研究[J].光电子技术,1998,18(3):192-196. |
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作者姓名: | 吴春亚 张建军 |
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摘 要: | 用KrF准分子激光、XeCl准分子激光在不同条件下对Ge含量不同的四种a-SiGe:H样品进行退火,只要激光退火能量密度合适,Ge含量不同的a-SiGe:H薄膜都可以被多晶化;随着Ge含量的增加,激光晶化阈值能量密度降低,耐退火民降低;在相同的激光晶化能量密度下,Ge的含量越高的薄膜,激光晶化的效果越好,晶粒尺寸长得越大。
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关 键 词: | 薄膜 激光退火 多晶化 准分子激光 |
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