首页 | 官方网站   微博 | 高级检索  
     

单粒子翻转二维成像技术
引用本文:史淑廷,郭 刚,王 鼎,刘建成,惠 宁,沈东军,高丽娟,苏秀娣,陆 虹.单粒子翻转二维成像技术[J].太赫兹科学与电子信息学报,2012,10(5):608-612.
作者姓名:史淑廷  郭 刚  王 鼎  刘建成  惠 宁  沈东军  高丽娟  苏秀娣  陆 虹
作者单位:中国原子能科学研究院核物理所;中国电子科技集团公司第47研究所
基金项目:国家自然科学基金资助项目(11105230)
摘    要:为了给星用半导体器件不同区域的单粒子翻转(SEU)机理研究提供一种高效、可靠手段,基于北京HI-13串列加速器,从重离子微束辐照技术和存储器单粒子效应检测技术这2方面,对微电子器件SEU二维成像测试技术进行了研究,建立了基于虚拟技术的测试系统。利用该成像技术,对国产2 kbit静态随机存储器(SRAM)的SEU敏感区域进行了实验研究,结果与理论结果及以往手动测试实验结果一致。

关 键 词:单粒子翻转成像  重离子微束  随机静态存储器
收稿时间:2011/12/11 0:00:00
修稿时间:2012/2/29 0:00:00

Technique of Single Event Upset mapping
SHI Shu-ting,GUO Gang,WANG Ding,LIU Jian-cheng,HUI Ning,SHEN Dong-jun,GAO Li-juan,SU Xiu-di and LU Hong.Technique of Single Event Upset mapping[J].Journal of Terahertz Science and Electronic Information Technology,2012,10(5):608-612.
Authors:SHI Shu-ting  GUO Gang  WANG Ding  LIU Jian-cheng  HUI Ning  SHEN Dong-jun  GAO Li-juan  SU Xiu-di and LU Hong
Affiliation:1.Department of Nuclear Physics,China Institute of Atomic Energy,Beijing 102413,China;2.The 47th Research Institute of China Electronics Technology Group Corporation,Shenyang Liaoning 110000,China)
Abstract:
Keywords:
本文献已被 CNKI 等数据库收录!
点击此处可从《太赫兹科学与电子信息学报》浏览原始摘要信息
点击此处可从《太赫兹科学与电子信息学报》下载全文
设为首页 | 免责声明 | 关于勤云 | 加入收藏

Copyright©北京勤云科技发展有限公司    京ICP备09084417号-23

京公网安备 11010802026262号