BF^+2注入硅的损伤和退火 |
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引用本文: | 陈树光,朱文玉.BF^+2注入硅的损伤和退火[J].半导体杂志,1994,19(2):1-4. |
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作者姓名: | 陈树光 朱文玉 |
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作者单位: | 中山大学物理系,中国科学院上海冶金研究所 |
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摘 要: | 本文用椭圆偏振光谱法研究了低温(77K)、中等能量(147keV)、剂量分别为3×1013及4×1013ions/cm2的BF2+分子离子注人Si的损伤及退火效应.根据样品椭圆偏振参数与C-Si的比较确定退火后晶格恢复的程度.结果表明,椭偏测量是研究分子离子注入Si的有用工具;BF注入硅样品的退火转变温度在500℃以下;并获得在某些实验条件下的最佳退火温度和最佳退火时间。
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关 键 词: | 离子注入 晶格损伤 退火效应 |
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