| 单晶铌酸锂薄膜的转移制备技术研究 |
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| 引用本文： | 帅垚,李宏亮,吴传贵,王韬,张万里.单晶铌酸锂薄膜的转移制备技术研究[J].电子元件与材料,2019,38(7):7-12. |
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| 作者姓名： | 帅垚 李宏亮 吴传贵 王韬 张万里 |
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| 作者单位： | 电子科技大学 电子薄膜与集成器件国家重点实验室,四川 成都,610054;电子科技大学 电子薄膜与集成器件国家重点实验室,四川 成都,610054;电子科技大学 电子薄膜与集成器件国家重点实验室,四川 成都,610054;电子科技大学 电子薄膜与集成器件国家重点实验室,四川 成都,610054;电子科技大学 电子薄膜与集成器件国家重点实验室,四川 成都,610054 |
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| 基金项目： | 国家重点研发计划;国家自然科学基金 |
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| 摘 要： | 以苯并环丁烯(Benzocyclobutene,BCB)作为键合层,采用离子注入剥离技术制备了Y36切型的单晶铌酸锂薄膜材料。经过对BCB键合层的前烘时间和退火曲线进行系统的研究,克服了由于铌酸锂和BCB之间热膨胀系数不匹配所导致的铌酸锂薄膜开裂问题,获得了高质量的Y36切型单晶铌酸锂薄膜材料。此外,通过在晶圆键合之前预先制备图形化的金属层,获得了带有下电极功能层的单晶铌酸锂薄膜,可应用于薄膜体声波谐振器等具有金属-绝缘层-金属结构的器件。
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| 关 键 词： | 铌酸锂薄膜 晶圆键合 离子注入剥离技术 BCB |
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