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Si-MCP连续打拿极的制备
引用本文:郭艳玲,薄春卫,桑卫兵,王国政,吴奎,姜德龙.Si-MCP连续打拿极的制备[J].长春理工大学学报,2006,29(1):86-88.
作者姓名:郭艳玲  薄春卫  桑卫兵  王国政  吴奎  姜德龙
作者单位:长春理工大学,理学院,长春,130022;长春理工大学,理学院,长春,130022;长春理工大学,理学院,长春,130022;长春理工大学,理学院,长春,130022;长春理工大学,理学院,长春,130022;长春理工大学,理学院,长春,130022
摘    要:本文阐述了MCP连续打拿极传统的制备方法,并提出采用半导体技术制备S i-MCP连续打拿极的新途径,通过对比进一步总结出采用新方法制备MCP连续打拿极的优越性。

关 键 词:先进技术微通道板  连续打拿极  LPCVD
文章编号:1672-9870(2006)01-0086-03
收稿时间:2005-10-27
修稿时间:2005年10月27日

The New Method to Prepare the Si- microchannal Plate Preparation Continuous Dynode
GUO Yanling,BO Chunwei,SANG Weibing,WANG Guozheng,WU Kui,JIANG Delong.The New Method to Prepare the Si- microchannal Plate Preparation Continuous Dynode[J].Journal of Changchun University of Science and Technology,2006,29(1):86-88.
Authors:GUO Yanling  BO Chunwei  SANG Weibing  WANG Guozheng  WU Kui  JIANG Delong
Abstract:In this paper,the continuous dynode of microchannel plate tradition preparation method was discussed and proposed the new method of using the semiconductor technology to prepare the Si-MCP continuous dynode,through the contrast further summarizes the superiority of using the new method to prepare the MCP continuous dynode.
Keywords:ddvanced technology microchannel plate  the continuous dynode  LPCVD
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