| L波段GaN HEMT器件的研制 |
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| 引用本文： | 闫锐,银军,崔玉兴,张力江,付兴昌,高学邦,吴洪江,蔡树军,杨克武.L波段GaN HEMT器件的研制[J].半导体技术,2014,39(5):357-360,369. |
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| 作者姓名： | 闫锐 银军 崔玉兴 张力江 付兴昌 高学邦 吴洪江 蔡树军 杨克武 |
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| 作者单位： | 中国电子科技集团公司第十三研究所,石家庄050051;中国电子科技集团公司第十三研究所,石家庄050051;中国电子科技集团公司第十三研究所,石家庄050051;中国电子科技集团公司第十三研究所,石家庄050051;中国电子科技集团公司第十三研究所,石家庄050051;中国电子科技集团公司第十三研究所,石家庄050051;中国电子科技集团公司第十三研究所,石家庄050051;中国电子科技集团公司第十三研究所,石家庄050051;中国电子科技集团公司第十三研究所,石家庄050051 |
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| 摘 要： | 基于标准工艺自主研制了L波段0.5μm栅长的GaN HEMT器件。该器件采用了利用MOCVD技术在3英寸(1英寸=2.54 cm)SiC衬底上生长的AlGaN/GaN异质结外延材料,通过欧姆接触工艺的改进将欧姆接触电阻值控制在了0.4Ω·mm以内,采用场板技术提高了器件击穿电压,采用高选择比的刻蚀工艺得到了一定倾角的通孔,提高了器件的散热能力及增益。结果表明,采用该技术研制的两胞内匹配GaN HEMT器件在工作频率1.5~1.6 GHz下,实现了输出功率大于66 W、功率增益大于15.2 dB、功率附加效率大于62.2%。
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| 关 键 词： | GaN 内匹配 L波段 功率 高效率 |
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