Ⅱ—Ⅵ族多量子阱光双稳器件的研制 |
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引用本文: | 陈云良,沈爱东,崔捷,徐梁,王海龙.Ⅱ—Ⅵ族多量子阱光双稳器件的研制[J].微纳电子技术,1991(6). |
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作者姓名: | 陈云良 沈爱东 崔捷 徐梁 王海龙 |
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作者单位: | 中国科学院上海光机所 上海 201800 |
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摘 要: | 本文报道了利用分子束外延技术生长的(ZnSe-ZnS)/GaAs多量子阱材料,研制成功F-P腔型和波导型两种不同结构的多量子阱光双稳器件。以YAG三倍频光为激发光源,首次在室温下观察到F-P腔型(ZnSe-ZnS)/GaAs多量子阱光双稳器件的脉冲压缩效应。根据输入输出脉冲波形获得了该器件的双稳回线。器件的开关功率为0.1W/μm~2,开关时间10ns。
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关 键 词: | 分子束外延 Ⅱ一Ⅵ族化合物半导体 量子阱 |
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