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| 基于离子注入技术的GaMnN室温铁磁半导体制备及其表征 | |
| 引用本文： | 王基庆,陈平平,李志锋,郭旭光,H.Makino,T.Yao,陈弘,黄绮,周均铭,陆卫.基于离子注入技术的GaMnN室温铁磁半导体制备及其表征[J].中国科学(G辑),2003,33(2):126-131. |
| 作者姓名： | 王基庆 陈平平 李志锋 郭旭光 H.Makino T.Yao 陈弘 黄绮 周均铭 陆卫 |
| 作者单位： | 1. 中国科学院上海技术物理研究所,红外物理国家重点实验室,上海,200083 2. 中国科学院上海技术物理研究所,红外物理国家重点实验室,上海,200083;Institute for Materials Research , Tohoku University, Sendai, Japan 3. Institute for Materials Research , Tohoku University, Sendai, Japan 4. 中国科学院物理研究所,北京,100080 |
| 基金项目： | 国家自然科学基金(批准号:10234040)，中国科学院“百人计划”资助项目 |
| 摘 要： | 通过离子注入技术制备出GaMnN三元磁性半导体材料．Raman光谱，x射线衍射和光致发光谱(PL)揭示了Mn在材料中的晶体结构与电子结构．这些基本表征结果表明注入的Mn占据了晶格位置，且多数形成了GaMnN三元相．超导量子干涉仪的测量结果表明合成的材料在室温下仍有铁磁性．磁化强度随温度的变化曲线表明材料中存在着不同的铁磁机制． |
| 关 键 词： | GaMnN 镓锰氮三元化合物半导体 磁性半导体材料 制备 离子注入 超导量子干涉仪 居里温度 |
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