Si/Si1—x Gex异质结双极晶体管和Si双极晶体管高频性能的比较分析 |
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引用本文: | Chen.,J,李栓庆.Si/Si1—x Gex异质结双极晶体管和Si双极晶体管高频性能的比较分析[J].半导体情报,1993,30(2):30-38. |
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作者姓名: | Chen. J 李栓庆 |
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摘 要: | 本文介绍了对Si/Si1-x Gex异质结双极晶体管(HBT)和硅双极结晶体管(BJT)高频性能进行模拟比较的结果,其结构参数是为获得最高fT≈fmax设计的,模拟研究表明,(1)Si/Si1-xGex HBT具有64GHz的峰值fT(=fmax),它比Si BJT提高了16.4%,(2)发射极充电时间对,高频性能有相当大的影响,即使电流密度高达80kAcm^-2时也是如此;(3)SiGe基区组分梯度和基区掺杂分布强烈影响着fT和fmax,研究发现高斯梯度分布具有最高的峰值fT=fmax,据估计其峰值截止频率比均匀掺杂分布高30%。(4)高频性能对集电极设计的依赖关系表明,要在fT,fmax和BVCBO间进行折衷处理,并且(5)通过降低发射区或基区掺要浓度,可设计出fT超过100GHz的Si1-xGexHBT,同样,通过提高基区掺杂浓度和降低非本征电容和电阻,可实现100GHz的fmax.
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关 键 词: | 双极晶体管 异质结 高频性能 |
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