| Si_(1-x)Ge_x薄膜Ge表面偏聚的Monte Carlo模型 |
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| 引用本文： | 蒋良俊,叶志镇,黄靖云.Si_(1-x)Ge_x薄膜Ge表面偏聚的Monte Carlo模型[J].微纳电子技术,2001,38(3):56-58. |
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| 作者姓名： | 蒋良俊 叶志镇 黄靖云 |
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| 作者单位： | 浙江大学硅材料国家重点实验室,浙江,杭州,310027 |
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| 摘 要： | 目前已经有许多学者研究了用 UHV/CVD方法生长 Si1-x Gex 薄膜时 Ge在表面、次表面的偏聚。一种对这种实验结果的解释是由于化学原因 (例如氧化 )造成锗原子的化学势差 ,这种化学势差成为锗原子迁移产生锗偏聚的动力。本文通过应用一个简单的统计热力学模型 ,对在这种机理下产生的锗偏聚进行了研究。这种用 Monte Carlo方法建立的模型所得到的计算结果与实验结果相当吻合。
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| 关 键 词： | 锗硅薄膜 Ge偏聚 MonteCarlo方法 |
| 文章编号： | 1001-5507(2001)03-0056-03 |
| 修稿时间： | 2001年1月12日 |
Monte carlo modeling of Ge surface segreation in Si1-xGex thin films |
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| JIANG Liang-jun,YE Zhi-zhen,HUANG Jing-yun.Monte carlo modeling of Ge surface segreation in Si1-xGex thin films[J].Micronanoelectronic Technology,2001,38(3):56-58. |
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| Authors: | JIANG Liang-jun YE Zhi-zhen HUANG Jing-yun |
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| Abstract: | Many experimental results concerning Ge segreation in Si 1-x Ge x expitaxial thin films have been reported recently,especially the Ge enrichment in the surface or subsurface layer.In this paper,we demonstrate that a simple model based on the regular solution theory can explain the Ge enrichment in the surface or subsurface.The model using the Monte Carlo method can show excellent agreement with the experimental data. |
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| Keywords: | Si 1-x Ge x Ge segeration monte carlo method |
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