| 氧化铟锡薄膜电阻温度曲线中的滞后现象 |
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| 引用本文： | 李文杰,方辉.氧化铟锡薄膜电阻温度曲线中的滞后现象[J].厦门大学学报(自然科学版),2009,48(5). |
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| 作者姓名： | 李文杰 方辉 |
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| 作者单位： | 厦门大学物理与机电工程学院,福建,厦门,361005 |
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| 摘 要： | 用电子束蒸发技术在玻璃衬底上制备氧化铟锡薄膜,并在500℃下氮气氛围中退火1 h.将退火后的薄膜用光刻技术形成一个M型规则线图,并记录连续4轮由室温升至400℃,接着降至室温过程中样品的电阻变化.测量数据显示,电阻温度曲线在温度上升和下降阶段存在滞后现象.结合半导体载流子输运理论建立模型,与降温实验数据拟合程度很好,但当用来解释升温数据时却存在明显的偏差.由降温过程的数据计算得到氧化铟锡的电阻温度系数在温度大于380℃后趋于+1.393×10-3/℃,同时给出了氧化铟锡薄膜的激活能.
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| 关 键 词： | 氧化铟锡 电阻温度系数 压电电阻 滞后现象 透明导电氧化物 |
The Hysteresis in the Resistance-temperature Variation of Indium Tin Oxide Thin Films |
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| LI Wen-jie,FANG Hui.The Hysteresis in the Resistance-temperature Variation of Indium Tin Oxide Thin Films[J].Journal of Xiamen University(Natural Science),2009,48(5). |
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| Authors: | LI Wen-jie FANG Hui |
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