| 砷化镓六位串并行驱动器芯片的研制 |
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| 引用本文： | 赵子润,陈凤霞.砷化镓六位串并行驱动器芯片的研制[J].半导体技术,2015,40(12):894-898. |
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| 作者姓名： | 赵子润 陈凤霞 |
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| 作者单位： | 中国电子科技集团公司第十三研究所,石家庄,050051;中国电子科技集团公司第十三研究所,石家庄,050051 |
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| 摘 要： | 基于0.25μm砷化镓(GaAs)增强、耗尽型赝配高电子迁移率晶体管(E/DPHEMT)工艺,设计并实现了一种串并行驱动器芯片,该芯片应用直接耦合场效应晶体管逻辑结构(DCFL),实现了移位寄存器、锁存器、输出缓冲等数字逻辑电路单片集成.芯片可输入六位串行或并行数据,输出六对互补电平以控制开关、衰减器等砷化镓微波单片集成电路(MMIC).测试结果表明,在5V工作电压下芯片的静态电流为7.6mA,并行输出高电平4.8V,低电平0.1V,传输延迟时间125 ns.驱动器芯片尺寸为2.5 mm×1.45 mm.该电路具有响应速度快、易与砷化镓MMIC集成等特点,可广泛应用于各类多功能电路、组件及模块中.
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| 关 键 词： | 砷化镓 赝配高电子迁移率晶体管(PHEMT) 开关驱动器 微波单片集成电路 增强型 |
Development of GaAs 6-Bit Serial/Parallel Switch Driver Chip |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | GaAs pseudomorphic high electron mobility transistor (PHEMT) Switch driver Microwave monolithic integrected circuit (MMIC) Enhancement mode |
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