| AlN单晶生长热场稳定性模拟 |
| |
| 引用本文： | 张丽,齐海涛,程红娟,史月增.AlN单晶生长热场稳定性模拟[J].半导体技术,2015,40(8):621-625. |
| |
| 作者姓名： | 张丽 齐海涛 程红娟 史月增 |
| |
| 作者单位： | 中国电子科技集团公司 第四十六研究所,天津,300220;中国电子科技集团公司 第四十六研究所,天津,300220;中国电子科技集团公司 第四十六研究所,天津,300220;中国电子科技集团公司 第四十六研究所,天津,300220 |
| |
| 摘 要： | 借助多物理场耦合软件模拟了物理气相传输法AlN单晶生长系统中的热场分布.探讨了生长不同厚度晶体的系统内部热场分布,并与实际生长不同厚度晶体的表面形貌进行比对.模拟结果表明,随着晶体厚度的增大,生长系统内部的轴向温度梯度出现不同程度的降低.晶体表面的径向温度曲线逐渐变为微凸界面,这与实际单晶厚度增大时表面形貌的变化趋势基本一致.另外模拟了多晶AlN源的升华收缩对热场分布稳定性的影响.结果表明,多晶AlN源收缩导致系统稳定性下降.通过分析不同电流下的热场分布结果,提出改善系统稳定性的措施.
|
| 关 键 词： | 多物理场耦合 AlN单晶 物理气相传输法 热场分布 稳定性 |
Thermal Field Stability Simulation of AlN Single Crystal Growth |
| |
| Abstract: | |
| |
| Keywords: | multi-physical coupled AlN single crystal physical vapor transport thermal field distribution stability |
| 本文献已被 万方数据 等数据库收录！ |
|
