| 晶硅衬底参数对背接触太阳电池性能的影响 |
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| 引用本文： | 周涛,陆晓东,张鹏,夏婷婷.晶硅衬底参数对背接触太阳电池性能的影响[J].半导体技术,2015(6). |
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| 作者姓名： | 周涛 陆晓东 张鹏 夏婷婷 |
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| 作者单位： | 渤海大学新能源学院,辽宁锦州,121000 |
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| 基金项目： | 国家自然科学基金资助项目，辽宁省教育一般项目 |
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| 摘 要： | 利用Silvaco-TCAD半导体器件仿真软件对n型插指背接触(IBC)晶硅太阳电池衬底参数进行了优化,全面系统地分析了晶硅衬底厚度、电阻率、少子寿命对IBC太阳电池量子效率、短路电流、开路电压、转换效率的影响.结果表明:晶硅衬底少子寿命是影响IBC太阳电池性能的最主要因素.少子寿命越高,电池转换效率越高.当晶硅衬底电阻率为2Ω·cm,少子寿命为500 μs时,最优的衬底厚度范围为60～65μm,IBC太阳电池转换效率约为22.5％.利用高质量晶硅材料制备IBC太阳电池时,可降低对衬底厚度的要求.当晶硅衬底厚度为150 μm、少子寿命为500μs时,最优衬底电阻率为0.3 Ω·cm,IBC太阳电池转换效率约为23.3％.少子寿命越低,IBC太阳电池最优的衬底电阻率越大.
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| 关 键 词： | 背接触 晶硅太阳电池 电阻率 厚度 少子寿命 效率 |
Influence of Crystalline Silicon Substrate Parameters on the Performances of the Back Contact Solar Cell |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | back contact crystalline silicon solar cell resistivity thickness minority carrier life efficiency |
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