首页 | 官方网站   微博 | 高级检索  
     

经Al_2O_3与SiO_x钝化的多孔硅及其光致发光特性
引用本文:刘小兵,熊祖洪,史向华,袁帅,廖良生.经Al_2O_3与SiO_x钝化的多孔硅及其光致发光特性[J].半导体学报,2000,21(1):38-43.
作者姓名:刘小兵  熊祖洪  史向华  袁帅  廖良生
作者单位:长沙电力学院物理系 长沙 410077,复旦大学应用表面物理国家重点实验室 上海 200433
基金项目:国家自然科学基金;19525410;
摘    要:在一定偏压下用AlCl3+C2H5OH+H2O混合液对多孔硅进行了后处理.经过处理的多孔硅与未经处理的多孔硅相比,其发光强且稳定.通过对样品进行红外吸收谱的测试和分析,指出在后处理样品表面形成的Al2O3与SiOx结构是多孔硅发光增强和稳定性得到提高的原因.

关 键 词:多孔硅    光致发光    钝化    Al_2O_3    SiO_x
文章编号:0253-4177(2000)01-0008-06
修稿时间:1998年10月13日

Surface Passivation of Porous Silicon by SiOx and A12O3 Films
LIU Xiao\|bing\,XIONG Zu\|hong,SHI Xiang\|hua\,YUAN Shuai and LIAO Liang\|sheng.Surface Passivation of Porous Silicon by SiOx and A12O3 Films[J].Chinese Journal of Semiconductors,2000,21(1):38-43.
Authors:LIU Xiao\|bing\  XIONG Zu\|hong  SHI Xiang\|hua\  YUAN Shuai and LIAO Liang\|sheng
Affiliation:LIU Xiao\|bing\+1,XIONG Zu\|hong,SHI Xiang\|hua\+1,YUAN Shuai and LIAO Liang\|sheng
Abstract:Bright and stable photoluminescence from porous silicon samples immersed in AlCl\-3+C\-2H\-5OH+H\-2O solution under a certain bias voltage has been obtained. FTIR spectra show that the enhancement and stabilization of the photoluminescence from the treated porous silicon are due to the formation of SiO_x and Al_2O_3 films on the treated sample surfaces.
Keywords:Porous Silicon  PL  Passivation  Al\-2O\-3  SiO_x
本文献已被 CNKI 维普 万方数据 等数据库收录!
点击此处可从《半导体学报》浏览原始摘要信息
点击此处可从《半导体学报》下载全文
设为首页 | 免责声明 | 关于勤云 | 加入收藏

Copyright©北京勤云科技发展有限公司    京ICP备09084417号-23

京公网安备 11010802026262号