铜铬复合基底中Cr含量对CNTs薄膜生长的影响研究 |
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引用本文: | 杨卫飞,曾凡光,丁佩,霍海波,张坤,麻华丽,许坤.铜铬复合基底中Cr含量对CNTs薄膜生长的影响研究[J].化工新型材料,2018(5). |
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作者姓名: | 杨卫飞 曾凡光 丁佩 霍海波 张坤 麻华丽 许坤 |
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作者单位: | 郑州航空工业管理学院机电工程学院;郑州航空工业管理学院理学院 |
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摘 要: | 采用酞菁铁(FePc)热解法在铜铬复合基底上制备碳纳米管(CNTs)薄膜,通过SEM、TEM、拉曼光谱等表征手段对不同基底上CNTs薄膜的生长情况进行了分析。研究结果表明,富铜(Cu)区存在束状团聚CNTs颗粒,其大小和分布密度在铬(Cr)含量为1%~3%(wt,质量分数)时,达到最大。富Cr区表面CNTs无束状团聚颗粒,且较富Cu区CNTs薄膜生长致密、平整。随着Cr含量增加,CNTs石墨化程度略有增高,其原因可能是石墨层包裹的铁(Fe)催化剂颗粒增多所致。基底Cr含量为3%的CNTs,其场发射电流密度达到460μA/cm~2,相比铜基底CNTs有较大幅度的提升。研究表明Cr含量对CNTs薄膜的生长调控具有显著作用。
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