| a-SiO_x∶H/a-SiO_y∶H多层薄膜微结构的退火行为 |
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| 引用本文： | 郭震宁,黄永箴,郭亨群,李世忱,王启明.a-SiO_x∶H/a-SiO_y∶H多层薄膜微结构的退火行为[J].半导体学报,2000,21(6):576-579. |
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| 作者姓名： | 郭震宁 黄永箴 郭亨群 李世忱 王启明 |
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| 作者单位： | 天津大学精密仪器与光电子工程学院!天津300072华侨大学应用物理系，泉州362011，中国科学院半导体研究所集成光电子学国家重点实验室!北京100083，华侨大学应用物理系!泉州362011，天津大学精密仪器与光电子工程学院!天津300072，中国科学院半导体研究所集成光电子学国家重点实验室 |
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| 摘 要： | 采用 PECVD技术在 P型硅衬底上制备了 a- Si Ox∶ H/a- Si Oy∶ H多层薄膜 ,利用 AES和 TEM技术研究了这种薄膜微结构的退火行为 .结果表明 :a- Si Ox∶ H/a- Si Oy∶ H多层薄膜经退火处理形成 nc- Si/Si O2 多层量子点复合膜 ,膜层具有清晰完整的结构界面 .纳米硅嵌埋颗粒呈多晶结构 ,颗粒大小随退火温度升高而增大 .在一定的实验条件下 ,样品在 650℃下退火可形成尺寸大小合适的纳米硅颗粒 .初步分析了这种多层复合膜形成的机理
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| 关 键 词： | 退火 微结构 多层薄膜 |
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