| 应用于空间系统的Power MOSFET辐射响应特性 |
| |
| 引用本文： | 刘刚,余学锋,任迪远,牛振红,高嵩.应用于空间系统的Power MOSFET辐射响应特性[J].辐射研究与辐射工艺学报,2006,24(4):201-204. |
| |
| 作者姓名： | 刘刚 余学锋 任迪远 牛振红 高嵩 |
| |
| 作者单位： | 1. 中国科学院新疆理化技术研究所,乌鲁木齐,830011;中国科学院研究生院,北京,100049
2. 中国科学院新疆理化技术研究所,乌鲁木齐,830011 |
| |
| 摘 要： | 为给金属氧化物半导体场效应功率管（Power MOSFET）在航天系统中的应用提供辐照数据基础和依据。用60^Co源对将应用于空间系统的两种Power MOSFET进行了不同总剂量的辐照实验。从微观氧化物陷阱电荷和界面态的辐射感生角度，分析了Power MOSFET器件在60^Co γ，射线辐射下的总剂量和剂量率效应以及辐照后70℃退火特性。试验表明与N沟道Power MOSFET相比，P沟道Power MOSFET可能更适合空间应用。
|
| 关 键 词： | 金属氧化物半导体场效应功率管 辐射响应 退火特性 |
| 收稿时间： | 2005-11-21 |
| 修稿时间： | 2006-04-18 |
Radiation effects and annealing of power MOSFET for space applications |
| |
| LIU Gang,YU Xuefeng,REN Diyuan,NIU Zhenhong,GAO Song.Radiation effects and annealing of power MOSFET for space applications[J].Journal of Radiation Research and Radiation Processing,2006,24(4):201-204. |
| |
| Authors: | LIU Gang YU Xuefeng REN Diyuan NIU Zhenhong GAO Song |
| |
| Abstract: | |
| |
| Keywords: | Power MOSFET Irradiation response Annealing characteristics |
| 本文献已被 CNKI 维普 万方数据 等数据库收录！ |
|
