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一种带自适应电荷泵的超低功耗NMOS LDO
引用本文:王世杰,李世磊,周泽坤,王卓,张波.一种带自适应电荷泵的超低功耗NMOS LDO[J].微电子学,2023,53(2):189-196.
作者姓名:王世杰  李世磊  周泽坤  王卓  张波
作者单位:电子科技大学 电子薄膜与集成器件国家重点实验室, 成都 610054
基金项目:国家自然科学基金资助项目(62074028)
摘    要:设计了一种带自适应电荷泵的超低功耗快速瞬态响应NMOS LDO,电路主要包含误差放大器、缓冲器、功率级、动态零点模块以及自适应电荷泵模块。该自适应电荷泵能够根据负载电流的大小调节工作频率,在兼顾大负载条件下功率管栅极需求的同时,保证了轻载下超低功耗的需求。同时为了满足电路中快速瞬态响应的需要,加入了动态电流电路。电路基于0.18μm BCD工艺设计,其工作电压范围为2.5~3.6 V,输出电压为1.2 V,负载范围为10μA~20 mA,工作的温度范围为-40~125℃。仿真结果显示,所设计的LDO供电电压调整率可达到1.123 mV/V,重载跳轻载时的恢复时间和轻载跳重载时的恢复时间分别为260μs和5μs,而静态电流最小仅为0.291μA。

关 键 词:自适应电荷泵  NMOS  LDO  超低功耗
收稿时间:2022/2/24 0:00:00

An Ultra-Low Power NMOS LDO with Adaptive Charge Pump
WANG Shijie,LI Shilei,ZHOU Zekun,WANG Zhuo,ZHANG Bo.An Ultra-Low Power NMOS LDO with Adaptive Charge Pump[J].Microelectronics,2023,53(2):189-196.
Authors:WANG Shijie  LI Shilei  ZHOU Zekun  WANG Zhuo  ZHANG Bo
Affiliation:State Key Laboratory of Electronic Thin Films and Integrated Devices, University of Electronic Science and Technology of China, Chengdu 610054, P. R. China
Abstract:
Keywords:adaptive charge pump  NMOS LDO  ultra-low power
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