紫外探测器用CdS晶片制备工艺研究 |
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引用本文: | 黄江平,何雯瑾,袁俊,王羽,李玉英,杨登全.紫外探测器用CdS晶片制备工艺研究[J].红外技术,2014,36(6):446. |
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作者姓名: | 黄江平 何雯瑾 袁俊 王羽 李玉英 杨登全 |
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作者单位: | 黄江平:昆明物理研究所,云南昆明 650223 何雯瑾:昆明物理研究所,云南昆明 650223 袁俊:昆明物理研究所,云南昆明 650223 王羽:昆明物理研究所,云南昆明 650223 李玉英:昆明物理研究所,云南昆明 650223 杨登全:昆明物理研究所,云南昆明 650223
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摘 要: | 介绍了叠层紫外/红外双色探测器结构特点、工作原理及选择CdS晶体材料制作紫外探测器光敏元的理论依据。阐述了CdS晶片制备及表面抛光质量的重要性和必要性。针对磨抛工艺对CdS紫外探测器性能的影响进行了研究。对比了几种抛光液对晶片表面的抛光效果,并进行了扫描电镜、红外透过率和表面粗糙度分析,得到了抛光后晶片表面的扫描电子显微镜(SEM)照片和CdS晶片厚度与红外透过率的关系曲线及CdS晶片厚度与振动噪声的关系。通过理论和实践的结合,确定了最佳抛光材料及最佳晶片厚度,研制出了完全能满足紫外探测器工艺要求的CdS探测器晶片。
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关 键 词: | 紫外探测器 CdS晶片 抛光 红外透过率 表面粗糙度 |
收稿时间: | 2014/3/6 |
Study on Preparation of Cadmium Sulfide for Ultraviolet Detector |
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Abstract: | |
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Keywords: | ultraviolet detector,CdS wafer,polishing,infrared transmission,surface roughness |
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