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| Cu掺杂A-TiO_2电子结构和光学性质的第一性原理研究 | |
| 作者单位： | ;1.宁夏大学物理与电子电气工程学院 |
| 摘 要： | 利用基于密度泛函理论的第一性原理计算研究了Cu掺杂的A-TiO_2的电子结构和光学性质.结果表明,p型Cu掺杂会在禁带中引入杂质能级,同时杂质能级的数目随着掺杂Cu原子的增加而增多.由于杂质能级的出现,掺杂体系的禁带宽度变宽但有效禁带宽度降低,电子从低能级向高能级跃迁所需的光子能量变小,掺杂体系吸收谱的吸收峰发生明显的红移.掺杂体系在可见光区(680nm处)出现新的吸收峰,当Cu原子掺杂摩尔分数为4.17%时,A-TiO_2对可见光的净吸收最优,可有效提升A-TiO_2光催化剂的性能.可为制备高效的TiO_2半导体光催化材料研究提供参考. |
| 关 键 词： | 第一性原理计算 Cu掺杂 TiO_2 电子结构 光学性质 |
The First-Principles Calculations Study on Electronic Structures and Optical Properties of Cu Doped A-TiO_2 |
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| Keywords: | |
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