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日本半导体光电子器件研究与开发的新进展
引用本文:余金中.日本半导体光电子器件研究与开发的新进展[J].半导体光电,2000,21(5):305-309.
作者姓名:余金中
作者单位:中国科学院半导体研究所,北京,100083
摘    要:根据对日本九所研究所和大学的实地考察,综述了这些研究机构在光电子器件方面的研究和开发进展,这些光电器件主要包括多波长光源和滤长可选择光源、电吸收调制器与分布反馈激光器的集成、泵浦用大功率激光器、大功率GaN激光器和平面光波回路等。同时,介绍了日本半导体光电产业的发展现状和趋势。

关 键 词:半导体  激光器  平面光波回路  光电子器件

Recent Progress in Research and Development on Semiconductor Optoelectronic Devices in Japan
YU Jin-zhong.Recent Progress in Research and Development on Semiconductor Optoelectronic Devices in Japan[J].Semiconductor Optoelectronics,2000,21(5):305-309.
Authors:YU Jin-zhong
Abstract:The main progress in research and development of semiconductor optoelectronic de vices in Japan is reviewed according to our visit to nine Japanese research inst itutes and universities recently.Development of such devices is described as mul tiple-wavelength and wavelength selectable optical sources,integrated DFB lasers ,high-power pumping laser diodes,blue laser diodes,and planar lightwave circuits ,etc.The prospects of these devices are forecasted.
Keywords:DFB laser diode  high power laser diode  InGaN laser  PLC
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