| 非催化剂法制备ZnO纳米线阵列的近带边高分辨变温光致发光性能研究 |
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| 引用本文： | 谢涌,介万奇,王涛,崔岩,高俊宁,于晖,王亚彬.非催化剂法制备ZnO纳米线阵列的近带边高分辨变温光致发光性能研究[J].功能材料,2013,44(8):1077-1080. |
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| 作者姓名： | 谢涌 介万奇 王涛 崔岩 高俊宁 于晖 王亚彬 |
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| 作者单位： | 1. 西北工业大学材料学院,凝固技术国家重点实验室,陕西西安710072
2. 西安黄河光伏科技股份有限公司,陕西西安,710043 |
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| 基金项目： | 国家自然科学基金资助项目，国家重点基础研究发展计划(973计划)资助项目，高等学校学科创新引智计划资助项目 |
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| 摘 要： | 采用CVD法在a-面蓝宝石衬底上制备了ZnO籽晶层,然后在籽晶层上用碳热还原法制备了高质量的ZnO纳米线阵列。发现生长后的ZnO纳米线阵列具有良好的近带边发光性能,束缚激子发光峰半峰宽<500!eV。通过变温PL测试,确定3.37737eV的发光峰为自由激子发光,分别通过Vina模型和Vashni模型对其进行拟合,发现在60K以下Vashni模型的拟合相当好,而在60～150K,Vina模型的拟合效果更优。3.29eV处的峰为DAP峰,计算可得样品中的施主浓度为1.8×1018cm-3。
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| 关 键 词： | ZnO 纳米线 光致发光 自由激子 束缚激子 X射线衍射 |
Temperature dependent near-band-edge photoluminescence of catalyst-free ZnO thin nanowires epitaxially grown on a-plane sapphire |
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| XIE Yong,JIE Wan-qi,WANG Tao,CUI Yan,GAO Jun-ning,YU hui,WANG Ya-bin.Temperature dependent near-band-edge photoluminescence of catalyst-free ZnO thin nanowires epitaxially grown on a-plane sapphire[J].Journal of Functional Materials,2013,44(8):1077-1080. |
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| Authors: | XIE Yong JIE Wan-qi WANG Tao CUI Yan GAO Jun-ning YU hui WANG Ya-bin |
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| Affiliation: | 1(1.State Key Laboratory of Solidification Processing,School of Materials Science and Engineering, Northwestern Polytechnical University,Xi’an 710072,China; 2.Xi’an Huanghe Photovoltaic Technology Co.,Ltd.,Xi’an 710043,China) |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | |
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