| 两种不同预充拓扑的反向导通双晶复合管高压脉冲电路 |
| |
| 引用本文： | 余岳辉,李伟邦,梁琳,尚超.两种不同预充拓扑的反向导通双晶复合管高压脉冲电路[J].高电压技术,2010,36(12):3047-3053. |
| |
| 作者姓名： | 余岳辉 李伟邦 梁琳 尚超 |
| |
| 作者单位： | 华中科技大学电子科学与技术系,武汉,430074 |
| |
| 基金项目： | 国家自然科学基金，中国博士后科学基金 |
| |
| 摘 要： | 为了获得窄脉宽下的大脉冲电流,研究了基于反向导通双晶复合管开关的2种不同预充拓扑的高压脉冲电路—直接预充拓扑和变压器预充拓扑。首先建立了RSD的工作拓扑模型,并分析了RSD正常开通所需要的条件:足够的预充电荷量QR和匹配的磁开关延时时间ts;然后按照开通的要求对电容、电感、负载等回路参数进行设计并选择合适的开关;最后,通过Saber仿真和实验验证了设计的合理性,并对结果进行了对比分析。根据实验结果,在主电压10kV下,两种拓扑电路分别成功通过了14μs脉宽下9.0kA的主电流和15μs脉宽下7.5kA的主电流,通过RSD开关的浪涌电流时间平方积分别为545A2·s、426A2·s。实验表明,直接式预充拓扑电路设计和维护相对容易,其主要应用在单次的人工控制环境;变压器预充拓扑电路能实现高低压隔离,其主要应用在重频自动控制环境。
|
| 关 键 词： | 反向导通双晶复合管 半导体开关 磁开关 直接预充 变压器预充 高电压 |
Reversely Switched Dynistor High-voltage Pulse Circuits of Two Different Pre-charge Topologies |
| |
| YU Yue-hui
,
LI Wei-bang
,
LIANG Lin
,
SHANG Chao.Reversely Switched Dynistor High-voltage Pulse Circuits of Two Different Pre-charge Topologies[J].High Voltage Engineering,2010,36(12):3047-3053. |
| |
| Authors: | YU Yue-hui LI Wei-bang LIANG Lin SHANG Chao |
| |
| Affiliation: | (Department of Electronic Science &Technology,Huazhong University of Science and Technology,Wuhan 430074,China) |
| |
| Abstract: | |
| |
| Keywords: | |
| 本文献已被 CNKI 万方数据 等数据库收录！ |
|
