| 半绝缘GaAs倍频效应的研究 |
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| 引用本文： | 刘秀环,陈占国,贾刚,时宝.半绝缘GaAs倍频效应的研究[J].红外与激光工程,2007,36(Z1). |
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| 作者姓名： | 刘秀环 陈占国 贾刚 时宝 |
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| 作者单位： | 吉林大学电子科学与工程学院,吉林,长春,130012 |
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| 摘 要： | 理论研究了GaAs的倍频效应,当基频光电场的偏振方向沿111]方向时,倍频效应最显著;当基频光垂直于半球形GaAs样品的(001)底面入射时,产生的二次谐波沿(001)面传播.首次从光电流随基频光偏振方向的变化这一角度验证了波长为1.3μm的基频光沿GaAs晶体的001]方向入射时的倍频吸收各向异性理论;实验测得了样品的光电流随外加偏压的非线性变化关系,实验中没有观察到光电流随外加偏压的增加而饱和的现象,进一步证明了GaAs样品中产生了倍频吸收.
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| 关 键 词： | 半绝缘GaAs 双光子响应 倍频吸收 |
Research on the double-frequency effect of semi-insulating GaAs |
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| LIU Xiu-huan,CHEN Zhan-guo,JIA Gang,SHI Bao.Research on the double-frequency effect of semi-insulating GaAs[J].Infrared and Laser Engineering,2007,36(Z1). |
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| Authors: | LIU Xiu-huan CHEN Zhan-guo JIA Gang SHI Bao |
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