穿透硅通孔互连结构的湿-热应力有限元分析 |
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引用本文: | 俞箭飞,江五贵.穿透硅通孔互连结构的湿-热应力有限元分析[J].半导体技术,2012,37(11). |
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作者姓名: | 俞箭飞 江五贵 |
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作者单位: | 南昌航空大学 航空制造工程学院,南昌,330063;南昌航空大学 航空制造工程学院,南昌,330063 |
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基金项目: | 国家自然科学基金项目(10902048;11162014) |
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摘 要: | 对穿透硅通孔(TSV)互连结构的湿-热应力问题进行了有限元分析。首先模拟了在二氧化硅和氢基半硅氧烷(HSQ)低k材料TSV互连结构在回流焊过程中,因热膨胀系数不匹配而引入的热应力,然后预测了HSQ基TSV互连结构在潮湿环境下因湿膨胀系数不同引起的湿应力,以及湿-热环境下的湿-热应力分布。结果表明:湿气会提高TSV结构界面处的等效应力,但湿气对铜线中的应力影响较小。湿-热应力集中主要出现在HSQ材料和与之相邻的硅上。与SiO2基TSV结构相比,HSQ基TSV结构中铜线上的应力集中得到改善,但HSQ和硅界面上的应力集中有所增加。
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关 键 词: | TSV结构 低k材料 湿-热应力 有限元 铜互连 |
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