| 弛豫SiGe衬底上SiGe/Si Ⅱ型量子阱 |
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| 引用本文： | 李代宗,黄昌俊,于卓,成步文,余金中,王启明.弛豫SiGe衬底上SiGe/Si Ⅱ型量子阱[J].半导体学报,2001(7). |
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| 作者姓名： | 李代宗 黄昌俊 于卓 成步文 余金中 王启明 |
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| 作者单位： | 中国科学院半导体研究所集成光电子国家重点实验室!北京100083，中国科学院半导体研究所集成光电子国家重点实验室!北京100083，中国科学院半导体研究所集成光电子国家重点实验室!北京100083，中国科学院半导体研究所集成光电子国家重点实验室!北京100083，中国科学院半导体研究所 |
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| 摘 要： | 采用 UHV / CVD系统 ,在 Si衬底上生长了具有渐变 Si1 - x Gex 缓冲层结构的弛豫 Si0 .76 Ge0 .2 4虚衬底和 5个周期的 Si0 .76 Ge0 .2 4/ Si多量子阱 .在渐变 Si1 - x Gex 缓冲层生长过程中引入原位退火 ,消除了残余应力 ,抑制了后续生长的 Si Ge中的位错成核 .透射电子显微照片显示 ,位错被有效地限制在组份渐变缓冲层内 ,而 Si Ge上层和 Si Ge/Si量子阱是无位错的 .在样品的 PL 谱中 ,观察到跃迁能量为 0 .96 1e V的 型量子阱的无声子参与 (NP)发光峰 .由于 型量子阱中电子和空穴不在空间同一位置 ,较高光功率激发下引起的高浓度载流子导致能带弯曲严重 .NP峰随激发功率增加向高能方向移动 ,在一定激发条件下 ,电子跃迁或隧穿至弛豫 Si Ge层弯曲的导带底后与处于同一位置的空穴复合发光 ,所以 NP峰积分强度随光激发功率先增加后减小
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| 关 键 词： | SiGe/Si 应变弛豫 型量子阱 |
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