硅基氧化锌单晶材料及光电子器件研发获重要进展

物理所／北京凝聚态物理国家实验室杜小龙研究组，与微加工实验室的顾长志研究组合作，设计并制备了一种新型n-ZnO／i—MgO／p—Si双异质结p—i-n可见肓紫外探测器原理型器件。该器件具有良好的pn结整流特性，在±2V时的整流比达到10^4以上。研究发现ZnO／Si中间插入的MgO势垒层有效地抑制了硅对可见光的响应，器件只对高于ZnO带隙（380nm）的紫外光响应，因而具有可见肓紫外光探测功能。与市售的硅紫外光电探测器相比，该器件充分利用了宽带隙ZnO卓越的光电性能，紫外光响应强。并可直接在可见光背景下工作，不需要滤光系统来屏蔽可见光的响应，因而具有结构简单、性能优越等优点。