| 低功耗IGBT(LPL-IGBT)及其仿真 |
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| 引用本文： | 吴郁,陆秀洪,亢宝位,王哲,程序,高琰.低功耗IGBT(LPL-IGBT)及其仿真[J].半导体学报,2001,22(12):1565-1571. |
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| 作者姓名： | 吴郁 陆秀洪 亢宝位 王哲 程序 高琰 |
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| 作者单位： | 北京工业大学电子信息与控制学院 北京100022
(吴郁，陆秀洪，亢宝位，王哲，程序)，北京工业大学电子信息与控制学院 北京(高琰) |
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| 基金项目： | 国家自然科学基金;69836010; |
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| 摘 要： | 提出了一种新结构的 IGBT,取名为低功耗 IGBT(L PL- IGBT) ,它具有离子注入形成的超薄且轻掺杂的背P型发射区 ,从而具有 NPT- IGBT的优点 ;同时具有由衬底预扩散残留层构成的 n型缓冲层 ,又具有 PT- IGBT的优点 .计算机仿真结果证明 ,它的关断损耗比 PT- IGBT和 NPT- IGBT降低一倍左右 .它的结构比 FSIGBT更适合于实际生产
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| 关 键 词： | PT-IGBT NPT-IGBT 通态压降 关断损耗 |
| 文章编号： | 0253-4177(2001)12-1565-07 |
| 修稿时间： | 2001年2月1日 |
A Novel Low Power Loss IGBT (LPL-IGBT) and Its Simulation |
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| WU Yu,LU Xiu hong,KANG Bao wei,WANG Zhe,CHENG Xu and GAO Yan.A Novel Low Power Loss IGBT (LPL-IGBT) and Its Simulation[J].Chinese Journal of Semiconductors,2001,22(12):1565-1571. |
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| Authors: | WU Yu LU Xiu hong KANG Bao wei WANG Zhe CHENG Xu and GAO Yan |
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| Abstract: | A new structure IGBT,named Low Power Loss IGBT (LPL IGBT) is proposed.It keeps the advantages of NPT IGBTs because of its very thin and lightly doped p type back emitter formed using ion implantation.Meanwhile,it also takes the advantages of PT IGBTs due to its n type buffer layer which is the residual layer of the pre diffused n + region at the backside of the n - substrate.Simulation results show that its turn off power loss is almost a half of that of the PT IGBT or NPT IGBT.Furthermore,its structure is more suitable for practical production than FSIGBT. |
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| Keywords: | PT IGBT NPT IGBT on state voltage turn off power loss |
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