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| 一种新的MOS器件亚阈区表面热分析方法 | |
| 引用本文： | 陈之昀,刘晓卫.一种新的MOS器件亚阈区表面热分析方法[J].半导体学报,1997,18(11):844-848. |
| 作者姓名： | 陈之昀 刘晓卫 |
| 作者单位： | 北京大学微电子研究所 |
| 摘 要： | 本根据ＭＯＳ器件亚阈区转移性特函数强收敛的特点，提出了一种直接利用ＭＯＳ器件转移特性确定亚阈区表面热的新方法。 |
| 关 键 词： | MOS器件 亚阈区 表面热分析 |
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