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| Si（001）上MBE异质生长Ge中表面活化剂Sd的作用的研究 | |
| 引用本文： | 徐阿妹,朱海军.Si（001）上MBE异质生长Ge中表面活化剂Sd的作用的研究[J].半导体学报,1997,18(10):725-730. |
| 作者姓名： | 徐阿妹 朱海军 |
| 作者单位： | 复旦大学应用表面物理国家重点实验室 |
| 摘 要： | 本利用ＲＨＥＥＤ、Ｘ射线双晶衍射及ＴＥＭ等技术，研究了在Ｓｉ（００１）衬底上，用晶化了的列定形Ｇｅ层做缓冲层ＭＢＥ生长Ｇｅ时，引入表面活化剂Ｓｄ所产生的影响。研究表明，Ｓｄ的引入将全使Ｓｉ（００１）衬底上无定形Ｇｅ膜的晶化温度显提高，并在一定的生长条件下，破坏Ｇｅ外延层的结晶性。 |
| 关 键 词： | 半导体 砷化镓 硅 MBE异质生长 表面活化剂 |
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