InP系列多薄层异质结构材料的光致发光谱温度特性的实验研究

本报告了ＩｎＰ系列多薄层异质结构材料变温光致发光谱的正常及异常温度特性；观测到ＩｎＧａＡｓＰ单层单量子阱室温下光致发光峰以却比１０Ｋ下光致发光峰能高的实验事实。提出了外延层分为岛状，短程有序起始生长区，过渡区，多元均匀混晶区模型来解释ＰＬ谱低温下局部温度特性异常问题；认为ＰＬ谱反常温度特性与晶格驰豫有关。