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中心抽头差分电感的等效模型和参数提取
引用本文:卢磊,周锋,唐长文,闵昊,王俊宇. 中心抽头差分电感的等效模型和参数提取[J]. 半导体学报, 2006, 27(12): 2150-2154
作者姓名:卢磊  周锋  唐长文  闵昊  王俊宇
作者单位:复旦大学专用集成电路与系统国家重点实验室,上海,201203;复旦大学专用集成电路与系统国家重点实验室,上海,201203;复旦大学专用集成电路与系统国家重点实验室,上海,201203;复旦大学专用集成电路与系统国家重点实验室,上海,201203;复旦大学专用集成电路与系统国家重点实验室,上海,201203
基金项目:上海市科委资助项目 , 上海市应用材料研究与发展基金
摘    要:提出了中心抽头差分电感的中心抽头等效模型,对其差分应用时的单端和差分阻抗进行推导,利用两端口S参数测试提取出等效电阻值、等效电感值和品质因数.在0.35μm 1P4M射频工艺上设计并实现一个中心抽头的差分叠层电感,使用去嵌入测试的两端口S参数进行模型验证.实验测试结果表明,在自激振荡频率以内等效模型和测试结果非常吻合.

关 键 词:中心抽头差分电感  中心抽头等效模型  参数提取  S参数  两端口
文章编号:0253-4177(2006)12-2150-05
收稿时间:2006-06-10
修稿时间:2006-07-26

Equivalent Model and Parameter Extraction of Center-Tapped Differential Inductors
Lu Lei,Zhou Feng,Tang Zhangwen,Min Hao and Wang Junyu. Equivalent Model and Parameter Extraction of Center-Tapped Differential Inductors[J]. Chinese Journal of Semiconductors, 2006, 27(12): 2150-2154
Authors:Lu Lei  Zhou Feng  Tang Zhangwen  Min Hao  Wang Junyu
Affiliation:State Key Laboratory of ASIC & System,Fudan University,Shanghai 201203,China;State Key Laboratory of ASIC & System,Fudan University,Shanghai 201203,China;State Key Laboratory of ASIC & System,Fudan University,Shanghai 201203,China;State Key Laboratory of ASIC & System,Fudan University,Shanghai 201203,China;State Key Laboratory of ASIC & System,Fudan University,Shanghai 201203,China
Abstract:
Keywords:center-tapped differential inductor  center-tapped equivalent model  parameter extraction,S-parameter  2-port
本文献已被 CNKI 维普 万方数据 等数据库收录!
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