| 高频大功率SiGe/Si HBT的设计 |
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| 引用本文： | 薛春来,成步文,姚飞,王启明.高频大功率SiGe/Si HBT的设计[J].半导体光电,2006,27(3):271-277. |
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| 作者姓名： | 薛春来 成步文 姚飞 王启明 |
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| 作者单位： | 中国科学院半导体研究所,集成光电子国家重点联合实验室,北京,100083 |
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| 基金项目： | 国家高技术研究发展计划(863计划)
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国家重点基础研究发展计划(973计划)
,
国家研究发展基金 |
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| 摘 要： | 详细地阐述了高频大功率SiGe/Si异质结双极晶体管(HBT)设计中的一些主要问题,主要包括器件的纵向设计中发射区、基区以及收集区中掺杂浓度、形貌分布、层厚的选择以及横向布局设计中的条宽、间隔的选择等.并对这些主要参数的选择给出了一些实用的建议.
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| 关 键 词： | SiGe HBT 高频 大功率 高频大功率 SiGe 布局设计 High Frequency High Power 参数 的选择 分布 掺杂浓度 发射区 纵向设计 器件 问题 异质结双极晶体管 阐述 |
| 文章编号： | 1001-5868(2006)03-0271-07 |
| 收稿时间： | 2005-08-17 |
| 修稿时间： | 2005年8月17日 |
Design of High Power High Frequency SiGe/Si HBT |
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| XUE Chun-lai,CHENG Bu-wen,YAO Fei,WANG Qi-ming.Design of High Power High Frequency SiGe/Si HBT[J].Semiconductor Optoelectronics,2006,27(3):271-277. |
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| Authors: | XUE Chun-lai CHENG Bu-wen YAO Fei WANG Qi-ming |
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| Affiliation: | State Key Laboratory on Integrated Optoelectronics,lnsUtute of Semiconductors, Chinese Academy of Sciences,Beijing 100083,CHN |
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| Abstract: | Si_(1-x)Ge_x/Si HBT has been widely used in RF and wireless application.A power Si_(1-x)Ge_x/Si HBT is the very important device in RF power amplifier(PA).An overview on the design of power Si_(1-x)Ge_x/Si HBT is presented.Some problems including the choice of some main design parameters are particularly discussed.Some advices and design rules are proposed. |
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| Keywords: | SiGe HBT high frequency high power |
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