| 低偏置电流下大功率半导体激光器低频电噪声特性 |
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| 引用本文： | 郜峰利,郭树旭,曹军胜,张爽,于思瑶.低偏置电流下大功率半导体激光器低频电噪声特性[J].光电子．激光,2008,19(4):449-452. |
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| 作者姓名： | 郜峰利 郭树旭 曹军胜 张爽 于思瑶 |
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| 作者单位： | 吉林大学电子科学与工程学院,吉林,长春,130012 |
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| 基金项目： | 国家自然科学基金
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吉林省重大科技发展计划 |
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| 摘 要： | 测量了大功率InGaAsP/GaAs量子阱半导体激光器在五十分之一阈值电流下的电压低频噪声功率谱密度.实验结果显示,激光器的低频电噪声呈现1/f噪声,在不同的偏置电流范围内,1/f噪声幅度随电流的变化关系不同,整体上随偏置电流的增大而减小,实验中并未发现g-r噪声.结合低偏置电流时激光器动态电阻的大小,给出了1/f噪声的模型,分析了在低偏置电流下的1/f噪声主要来自有源区和漏电电阻,其幅度的大小及其随偏置电流的变化趋势与激光器的可靠性有密切的关系.
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| 关 键 词： | 半导体激光器 1/f噪声 g-r噪声 可靠性 动态电阻 偏置电流 大功率 量子阱半导体激光器 低频电 噪声特性 currents bias laser diodes semiconductor noise electrical 变化趋势 漏电电阻 有源区 分析 模型 大小 动态电阻 结合 发现 |
| 文章编号： | 1005-0086(2008)04-0449-04 |
| 修稿时间： | 2007年4月13日 |
The characteristic of low-frequency electrical noise in high-power semiconductor laser diodes at low bias currents |
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| GAO Feng-li,GUO Shu-xu,CAO Jun-sheng,ZHANG Shuang,YU Si-yao.The characteristic of low-frequency electrical noise in high-power semiconductor laser diodes at low bias currents[J].Journal of Optoelectronics·laser,2008,19(4):449-452. |
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| Authors: | GAO Feng-li GUO Shu-xu CAO Jun-sheng ZHANG Shuang YU Si-yao |
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| Affiliation: | GAO Feng-li,GUO Shu-xu,CAO Jun-sheng,ZHANG Shuang,YU Si-yao(College of Electronic Science , Engineering,Jilin University,Changchun 130012,China) |
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| Abstract: | The voltage low-frequency noise power spectral density in high-power InGaAsP/GaAs quanta well semiconductor laser diodes(QW-LDs)was measured below one-fiftieth threshold current.The experimental results show that,the low-frequency electrical noise in LDs is 1/f noise,whose magnitude decreases with the increasing of bias currents on the whole,and g-r noise is not in existence.According to the value of dynamic resistance of LDs at low bias current,the 1/f noise model at low bias current is deduced.Based on th... |
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| Keywords: | LDs 1/f noise g-r noise reliability dynamic resistance |
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