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一个单端LO输入的新型混频器电路
引用本文:陈迪平,陈弈星,熊琦,王镇道.一个单端LO输入的新型混频器电路[J].湖南大学学报(自然科学版),2006,33(2):63-65.
作者姓名:陈迪平  陈弈星  熊琦  王镇道
作者单位:1. 湖南大学,应用物理系,湖南,长沙,410082
2. 湖南工程职业技术学院,湖南,长沙,410000
摘    要:设计了一个基于工作在线性区的MOSFET的新型宽带混频器.此混频器以标准CMOS工艺和简单的电路实现了现代无线通讯系统高线性度、低压和低功耗的要求,工作频带宽,且只需单端本振输入,解决了本振信号的单双端变换问题.由仿真结果可知:电路工作电压为1.2 V,功耗3.8 mW,增益为13.8 dB,P-1 dB为-4 dBm,噪声为12 dB.

关 键 词:MOS  线性区  混频器  低压  宽带
文章编号:1000-2472(2006)02-0063-03
收稿时间:03 28 2005 12:00AM
修稿时间:2005-03-28

A New Single LO Input Mixer
CHEN Di-ping,CHEN Yi-xing,XIONG Qi,WANG Zhen-dao.A New Single LO Input Mixer[J].Journal of Hunan University(Naturnal Science),2006,33(2):63-65.
Authors:CHEN Di-ping  CHEN Yi-xing  XIONG Qi  WANG Zhen-dao
Affiliation:1. Dept of Applied Physics, Hunan Univ, Changsha, Hunan 410082, China; 2. Hunan Vocational College of Engineering Technology, Changsha, Hunan 41000, China
Abstract:A new simple wide-band mixer exploiting MOSFETs working in the linearity region was presented.The mixer meets the high-linearity,low-voltage and low power consumption requirements of wireless systems and has a wide operating frequency range with standard CMOS technology.Besides,only one single LO input is needed,which solves the problem of single-end to differential transformation.Simulation results show that the circuit has 3.8 mW power consumption,13.8 dB conversion gain,-4 dBm P-1dB point and 12 dB noise figure(NF) under 1.2V voltage supply.
Keywords:MOS  linear region  mixer  low voltage  wide band  
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