| X射线光刻掩模后烘过程的瞬态热分析 |
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| 引用本文： | 王永坤,余建祖,余雷,陈大鹏.X射线光刻掩模后烘过程的瞬态热分析[J].微细加工技术,2003(2):34-39. |
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| 作者姓名： | 王永坤 余建祖 余雷 陈大鹏 |
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| 作者单位： | 1. 北京航空航天大学，北京100083
2. 中国科学院微电子中心，北京100010 |
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| 基金项目： | 国家自然科学基金资助项目(59976004) |
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| 摘 要： | X射线光刻掩模是下一代光刻技术(NGL)中的X射线光刻技术的关键技术难点。在电子束直写后的掩模后烘过程中，掩模表面的温度场分布及温升的均匀性是影响掩模关键尺寸(CD)控制的重要因素，如果控制不当，会造成掩模表面的光刻胶烘烤不均匀，使掩模吸收体CD分布变坏。针对电子束直写后X射线光刻掩模的后烘过程建立了热模型，并采用有限元技术进行了瞬态温度场的计算。计算结果表明：采用背面后烘方式，在达到稳态时出现高温区和低温区，最大温差为10.19℃，容易造成光刻胶局部烘烤过度，而采用正面后烘方式，掩模达到稳态的时间短，温度分布均匀，烘烤效果好。
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| 关 键 词： | X射线光刻 掩模 后烘烤 有限元技术 瞬态温度场 |
| 文章编号： | 1003-8213(2003)02-0034-06 |
| 修稿时间： | 2003年1月2日 |
Transient Thermal Analysis of X-ray Lithography Mask During Post-exposure baking |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | finite element mask X-ray lithography post exposure baking temperature distribution |
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