| 功率型GaN基LED静电保护方法研究 |
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| 引用本文： | 王立彬,刘志强,陈宇,伊晓燕,马龙,潘领峰,王良臣.功率型GaN基LED静电保护方法研究[J].半导体光电,2007,28(4):474-477. |
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| 作者姓名： | 王立彬 刘志强 陈宇 伊晓燕 马龙 潘领峰 王良臣 |
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| 作者单位： | 中国科学院半导体研究所,北京,100083 |
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| 摘 要： | 介绍了几种常用的GaN基大功率白光发光二极管(LED)静电保护的方法,分析了GaN基大功率白光LED静电损伤的机理,并在此基础上,提出了改善GaN基大功率白光LED的抗静电损伤的途径与方法.
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| 关 键 词： | 氮化镓 发光二极管 静电保护 齐纳二极管 大功率 静电损伤 保护方法 研究 High Power Protection 改善 机理 分析 静电保护 发光二极管 |
| 文章编号： | 1001-5868（2007）04-0474-04 |
| 修稿时间： | 2006-10-30 |
Analysis of ESD Protection for High Power GaN-based Light-emitting Diodes |
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| WANG Li-bin,LIU Zhi-qiang,CHEN Yu,YI Xiao-yan,MA Long,PAN Ling-feng,WANG Liang-chen.Analysis of ESD Protection for High Power GaN-based Light-emitting Diodes[J].Semiconductor Optoelectronics,2007,28(4):474-477. |
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| Authors: | WANG Li-bin LIU Zhi-qiang CHEN Yu YI Xiao-yan MA Long PAN Ling-feng WANG Liang-chen |
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| Affiliation: | Institute of Semiconductors, Chinese Academy of Sciences, Beijing 100083, CHN |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | GaN light-emitting diode electrostatic discharge Zener diode |
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