| TiO2掺杂对ZnO压敏电阻低压化过程的影响 |
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| 引用本文： | 何忠伟,徐政,孙丹峰.TiO2掺杂对ZnO压敏电阻低压化过程的影响[J].硅酸盐学报,2004,32(9):1161-1164. |
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| 作者姓名： | 何忠伟 徐政 孙丹峰 |
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| 作者单位： | 1. 同济大学材料科学与工程学院,上海,200092
2. 苏州中普电子有限公司,江苏,苏州,215011 |
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| 摘 要： | 近年来，加入晶粒助长剂TiO2以实现低压化的低压ZnO压敏电阻发展迅速。实验所用配方为掺杂TiO2的98.3％ZnO-0.7％Bi2O3-1.0％TiO2(摩尔分数)和相应无TiO2掺杂的配方，在900～1200℃下烧结制备样品。给出了相分析、半定量分析及电性能测试结果。发现TiO2可以有效促进ZnO晶粒长大，降低压敏电压梯度。1100℃下，TiO2掺杂试样的平均晶粒尺寸为56.4μm，远大于无TiO2掺杂的31.8μm。大部分TiO2首先与Bi2O3反应生成Bi4(TiO4)3液相，这大大促进了ZnO晶粒生长。高于1000℃时Bi4(TiO4)3分解，分解出的TiO2与ZnO发生反应，生成Zn2TiO4尖晶石相，晶粒生长受阻，直至停止。
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| 关 键 词： | 氧化锌 压敏电阻 氧化钛掺杂 晶粒长大 低压化 |
| 文章编号： | 0454-5648(2004)09-1161-04 |
| 修稿时间： | 2004年1月5日 |
EFFECTS OF TiO2 ADDING ON LOW-VOLTAGE ZnO VARISTOR |
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| HE Zhongwei.EFFECTS OF TiO2 ADDING ON LOW-VOLTAGE ZnO VARISTOR[J].Journal of The Chinese Ceramic Society,2004,32(9):1161-1164. |
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| Authors: | HE Zhongwei |
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| Affiliation: | HE Zhongwei~ |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | zinc oxide varistor titania addition grain growth low-voltage |
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