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5.8 GHz 0.18μmCMOS低噪声放大器的设计
引用本文:周洪敏,张瑛,丁可柯.5.8 GHz 0.18μmCMOS低噪声放大器的设计[J].计算机工程与应用,2014(23).
作者姓名:周洪敏  张瑛  丁可柯
作者单位:南京邮电大学 电子科学与工程学院,南京,210046
基金项目:国家自然科学基金青年科学基金(No.61106021);江苏省高校自然科学基金(No.11KJB510019);南京邮电大学青蓝工程基金(No.NY210037)。
摘    要:基于0.18μm CMOS工艺,设计了一个新型的低噪声放大器。在该放大器中,采用带有级间匹配的共源共栅结构。采用级间匹配结构实现了低功耗高增益。为了降低芯片面积,使用LC并联网络代替传统的大电感。仿真结果表明,在5.8 GHz的工作频率下,功率增益大约为10.3 dB,而反向隔离度低于-16 dB。同时具有比较好的输入输出匹配。除此之外,还获得了比较小的最小噪声系数和比较好的线性度。在1.5 V的供电电压下,电路的静态功耗为12.7 mW。

关 键 词:低噪声放大器  CMOS  噪声系数  线性度
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