低功率双极晶体管存贮单元

低势垒肖特基二极管和高势垒肖特基二极管已与双极晶体管组合,制作出平面集成电路小面积存贮单元,功率维持在75微瓦。在离子注入P型硅(10~(17)厘米~(-3))上形成的低势垒二极管用作为集电极高阻抗负载。在外延n型硅(10~(16)厘未~(-a))上形成的高势垒二极管提供与存贮器阵列中位线的低电容低漏电耦合。 硅肖特基二极管的高度再现性的硅化铑,以及高质量欧姆接触,是在一次溅射和高温操作中形成。制造过程完全适合于梁式引线工艺。已估计使用这些单元的512字存贮器模型,工作在60毫微秒的读周期时间或写周期时间。