硅对旱盐双重胁迫下甘草种子萌发和幼苗生长的影响

目的研究不同程度旱盐双重胁迫下硅对甘草种子萌芽和幼苗生长的调控效应及最佳调控范围。方法通过水培发芽试验,根据生产实践用不同浓度PEG-6000(10%、20%、30%)和NaCl(100,200,300 mmol/L)水溶液模拟干旱和盐双重胁迫环境,设置了1个硅(K_2SiO_3)浓度(1 mmol/L)。来研究旱盐双重胁迫下硅对甘草种子萌发和幼苗生长阶段的调控效应及其最佳浓度。结果旱盐胁迫明显的抑制了甘草种子萌发和幼苗生长。硅的添加能促进胁迫条件下甘草种子萌发和幼苗生长,但这种促进作用因干旱胁迫程度而异,在S2D1(200 mmol/L NaCl+10%PEG)条件下,硅对甘草种子萌发和幼苗生长的促进作用最强。结论这证实了硅至少直接参与了旱盐双重胁迫下甘草的生理生化过程,从而缓解旱盐害,促进其生长,但硅究竟参与了哪些生理生化过程,尚需进一步研究证实。