| 新型双异质结双平面掺杂功率PHEMT |
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| 引用本文： | 陈震,和致经,魏珂,刘新宇,吴德馨.新型双异质结双平面掺杂功率PHEMT[J].半导体学报,2004,25(4):454-457. |
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| 作者姓名： | 陈震 和致经 魏珂 刘新宇 吴德馨 |
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| 作者单位： | 中国科学院微电子中心 北京100029
(陈震，和致经，魏珂，刘新宇)，中国科学院微电子中心 北京100029(吴德馨) |
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| 摘 要： | 设计并制作了双异质结双平面掺杂的Al0 .2 4 Ga0 .76 As/ In0 .2 2 Ga0 .78As/ Al0 .2 4 Ga0 .76 As功率PHEMT器件,采用双选择腐蚀栅槽结构,有效提高了PHEMT器件的输出电流和击穿电压.对于1μm栅长的器件,最大输出电流为5 0 0 m A/ mm ,跨导为2 75 m S/ m m,阈值电压为- 1 .4 V,最大栅漏反向击穿电压达到了33V .研究结果表明,在栅源间距一定时,栅漏间距对于器件的输出电流、跨导和击穿电压有很大关系,是设计功率PHEMT的关键之一.
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| 关 键 词： | PHEMT 双平面掺杂 双选择腐蚀栅槽 击穿电压 |
| 文章编号： | 0253-4177(2004)04-0454-04 |
| 修稿时间： | 2003年3月17日 |
A New Kind of Double Heterojunction Double Planar Doped Power PHEMTs |
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| Chen Zhen,He Zhijing,Wei Ke,Liu Xinyu and Wu Dexin..A New Kind of Double Heterojunction Double Planar Doped Power PHEMTs[J].Chinese Journal of Semiconductors,2004,25(4):454-457. |
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| Authors: | Chen Zhen He Zhijing Wei Ke Liu Xinyu and Wu Dexin |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | PHEMT double planar doped double selective recess breakdown voltage |
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