| 一种基于MBE差分外延技术的SiGe低噪声放大器 |
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| 引用本文： | 张静,李荣强,刘伦才,李开成,刘道广,徐婉静,杨永晖,蒲林,谭开洲.一种基于MBE差分外延技术的SiGe低噪声放大器[J].微电子学,2006,36(5):569-571,594. |
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| 作者姓名： | 张静 李荣强 刘伦才 李开成 刘道广 徐婉静 杨永晖 蒲林 谭开洲 |
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| 作者单位： | 模拟集成电路国家重点实验室,中国电子科技集团公司,第二十四研究所,重庆,400060 |
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| 摘 要： | 采用MBE差分外延生长SiGe HBT基区,等平面隔离,多晶硅注入、快速退火形成发射区等工艺,实现了SiGe器件的平面集成。基于上述工艺技术研制的SiGe低噪声放大器(LNA),获得了1.7 GHz的带宽,23 dB的增益和3.5 dB的噪声系数。
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| 关 键 词： | 分子束外延 差分外延 锗硅异质结双极晶体管 低噪声放大器 |
| 文章编号： | 1004-3365（2006）05-0569-03 |
| 收稿时间： | 2006-05-10 |
| 修稿时间： | 2006-05-102006-07-30 |
An SiGe Low Noise Amplifier Based on MBE Differential Epitaxy |
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| ZHANG Jing,LI Rong-qiang,LIU Lun-cai,LI Kai-cheng,LIU Dao-guang,XU Wan-jing,YANG Yong-hui,PU Ling,TAN Kai-zhou.An SiGe Low Noise Amplifier Based on MBE Differential Epitaxy[J].Microelectronics,2006,36(5):569-571,594. |
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| Authors: | ZHANG Jing LI Rong-qiang LIU Lun-cai LI Kai-cheng LIU Dao-guang XU Wan-jing YANG Yong-hui PU Ling TAN Kai-zhou |
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| Affiliation: | .National Laboratory of Analog Integrated Circuits ~ Sichuan Institute of Solid-State Circuits, CETC, Chongqing 400060, P. R. China |
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| Abstract: | With MBE differential epitaxial base,a planar integration of SiGe devices was implemented by using isoplanar isolation,polysilicon implantation,and emitter formation by rapid thermal annealing.Based on these processes,an SiGe low noise amplifier(LNA)was fabricated,and a bandwidth of 1.7 GHz,a gain of 23 dB,and a noise figure of 3.5 dB have been achieved for the circuit. |
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| Keywords: | Molecular beam epitaxy Differential epitaxy SiGe HBT Low noise amplifier |
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